RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2605
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link