RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3327
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link