RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3402
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link