RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3774
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Сравнения RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston KHX16 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link