RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2929
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link