RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3834
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link