RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3587
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix 8GB36-H9 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
A-DATA Technology AD63I1C1624EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link