RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3482
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link