RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
71
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
71
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1979
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link