RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
16.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3259
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link