Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 17000

Около 1.13% выше полоса пропускания

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 24

Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.5 16

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.3 12.5

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 18
Скорость чтения, Гб/сек

16.0 20.5
Скорость записи, Гб/сек

12.5 16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 17000

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2925 3575

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB

Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB

Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB

Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB

Kingston K6VDX7-HYD 8GB

Kingston K6VDX7-HYD 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB

модули RAM