RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3596
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link