RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3848
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link