RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3535
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBNS 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link