RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4152
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link