RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
22.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
20.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
4051
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link