RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3925
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link