RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3959
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link