RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3083
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link