RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3164
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Inmos + 256MB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Mushkin 992017 (997017) 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link