RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2256
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link