RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
62
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2138
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link