RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
62
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2138
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link