RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2815
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link