RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2900
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link