RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2524
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link