RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KH280C14D4/8X 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, TBD1 V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 31 32 33 34 35 36 37
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2779
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link