RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2727
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5428-049.A00LF 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link