RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3415
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link