RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
47
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2227
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link