RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
47
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2362
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link