RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    21 left arrow 24
    Около -14% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    19.1 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.5 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 21
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 19.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 14.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3427

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
модули RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
модули RAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
модули RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
модули RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
модули RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
модули RAM