RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
40
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2204
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link