RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2585
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link