RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3112
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link