RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3169
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link