RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
72
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
72
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1918
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link