RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3254
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link