RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3404
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link