RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2078
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
INTENSO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link