RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 73
    Около 67% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 14.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 73
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 14.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 7.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 1842

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
модули RAM
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
модули RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
модули RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
модули RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
модули RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
модули RAM