RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
73
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
73
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1842
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link