RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3870
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link