RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2370
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link