RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2768
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link