RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3151
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link