RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
50
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
50
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2393
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link