RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
60
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
60
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2511
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link