RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2279
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link