RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3521
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link