RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2807
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation M424051 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link