RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2544
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6N1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link